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气体分类
Gas
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多腔室溅射系统ENTRONTM-EX2 W300

各种应用(NVM,Al和铜布线,钛或氮化钛阻挡金属,厚铝和钴或镍自对准硅化物等); 不仅具备Si器件的处理能力,而且还具备化合物半导体、石英器件等的处理能力; 根据集群工具的概念,最多可以配备10个过程模块; 单独或平台共用; 晶片传输速度提高了60%,实现了高还原性和低CO2; 出于环保考虑,标准配备了各种节能功能,相比目前型号可以节能30%; 配备了与新一代半导体Fab相配的控制系统;优异的薄膜控制和EES兼容性;高级自动化Fab合规性。


多腔室溅射系统ENTRONTM-EX2 W300

      描述:


      多室溅射系统ENTRONTM-EX2 W300是结合各种工艺的最新平台。


      适用于新一代可扩展性的高端型号,可满足客户高吞吐量和节能需求。ULVAC将以先进的PVD,CVD和ALD模块等先进技术,满足客户的各种需求。


      特性:


      灵活的模块配置


      PVD和CVD / ALD工艺的集成


      各种应用(NVM,Al和铜布线,钛或氮化钛阻挡金属,厚铝和钴或镍自对准硅化物等)


      不仅具备Si器件的处理能力,而且还具备化合物半导体、石英器件等的处理能力。


      根据集群工具的概念,最多可以配备10个过程模块


      单独或平台共用


      晶片传输速度提高了60%,实现了高还原性和低CO2。


      出于环保考虑,标准配备了各种节能功能,相比目前型号可以节能30%。


      配备了与新一代半导体Fab相配的控制系统;优异的薄膜控制和EES兼容性;高级自动化Fab合规性。


      应用:


      先进的半导体存储器(DRAM和闪存)


      新一代NVM(STT-MRAM,ReRAM,PCRA,CBRAM,FeRAM等)


      先进的逻辑设备


      CMOS图像传感器


      产品规格:

参数

ENTRON TM -EX2   W300(串联)

ENTRON TM -EX2   W300(单独)

组态

传输系统

EFEM,真空传输模块x 2

EFEM,真空传输模块x 1

模块

L / UL腔室x 2 
  +最多8个过程模块
  +最多2degas或冷却模块

L / ULx 2 
  +最多4个过程模块
  +最多2degas或冷却模块

晶片尺寸

直径300mm

运输机器人

双臂式高速真空机器人x 2

配备了晶片位置调节器

双臂式高速真空机器人×1

配备了晶片位置调节器

控制系统

FA-PC控制(集群工具控制器)

应用

内存,NVM,逻辑,多层进程

内存,NVM,逻辑,研发,小生产

泵系统

主泵

LL模块:TMP 
传输核心:TMP或低温泵
处理模块:TMP +冷肼(用于2 O

低真空泵

低真空干泵,TMP前干泵

处理

溅射系统

溅射/旋转磁铁阴极:常规,LTSSISHiCIS,三枪阴极

预清洗

ICP蚀刻,H2退火,CDT

CVD / ALD

FEOL,BEOLNVMCVD / ALD

工艺气体管线

PVD:最多4
  CVD:最多14

吞吐量

机械吞吐量:160wph(双转移)

极限压力

传输模块:<8.0   x10E -6 Pa 
处理模块:<3.0 x10E -6 Pa

THK均匀性(* 1

直径300mm <±5

过程温度

RT至450C

电力

50Hz /   60Hz,3相,200V

冷却水

0.3到0.5MPa,温度2025C 
冷却器:60L / min 氦气
压缩机:7L / min x单元
  DRP8L / min x单元

气体

工艺用气体:0.10.3MPa 
N2吹扫用气体:0.20.7MPa 

DRP N2吹扫用气体:0.20.7MPa

压缩的压力

0.5至0.7MPa

节能功能

标配

接地

A级(1级)地线(10欧姆以内)

选配

LTS / SIS   /三枪阴极/ CVD / ALD模块可选配
  RGAQulee 
  In-Aligner 
  EES
EDPMS(设备工程系统)




 


多腔室溅射系统ENTRONTM-EX2 W300

      描述:


      多室溅射系统ENTRONTM-EX2 W300是结合各种工艺的最新平台。


      适用于新一代可扩展性的高端型号,可满足客户高吞吐量和节能需求。ULVAC将以先进的PVD,CVD和ALD模块等先进技术,满足客户的各种需求。


      特性:


      灵活的模块配置


      PVD和CVD / ALD工艺的集成


      各种应用(NVM,Al和铜布线,钛或氮化钛阻挡金属,厚铝和钴或镍自对准硅化物等)


      不仅具备Si器件的处理能力,而且还具备化合物半导体、石英器件等的处理能力。


      根据集群工具的概念,最多可以配备10个过程模块


      单独或平台共用


      晶片传输速度提高了60%,实现了高还原性和低CO2。


      出于环保考虑,标准配备了各种节能功能,相比目前型号可以节能30%。


      配备了与新一代半导体Fab相配的控制系统;优异的薄膜控制和EES兼容性;高级自动化Fab合规性。


      应用:


      先进的半导体存储器(DRAM和闪存)


      新一代NVM(STT-MRAM,ReRAM,PCRA,CBRAM,FeRAM等)


      先进的逻辑设备


      CMOS图像传感器


      产品规格:

参数

ENTRON TM -EX2   W300(串联)

ENTRON TM -EX2   W300(单独)

组态

传输系统

EFEM,真空传输模块x 2

EFEM,真空传输模块x 1

模块

L / UL腔室x 2 
  +最多8个过程模块
  +最多2degas或冷却模块

L / ULx 2 
  +最多4个过程模块
  +最多2degas或冷却模块

晶片尺寸

直径300mm

运输机器人

双臂式高速真空机器人x 2

配备了晶片位置调节器

双臂式高速真空机器人×1

配备了晶片位置调节器

控制系统

FA-PC控制(集群工具控制器)

应用

内存,NVM,逻辑,多层进程

内存,NVM,逻辑,研发,小生产

泵系统

主泵

LL模块:TMP 
传输核心:TMP或低温泵
处理模块:TMP +冷肼(用于2 O

低真空泵

低真空干泵,TMP前干泵

处理

溅射系统

溅射/旋转磁铁阴极:常规,LTSSISHiCIS,三枪阴极

预清洗

ICP蚀刻,H2退火,CDT

CVD / ALD

FEOL,BEOLNVMCVD / ALD

工艺气体管线

PVD:最多4
  CVD:最多14

吞吐量

机械吞吐量:160wph(双转移)

极限压力

传输模块:<8.0   x10E -6 Pa 
处理模块:<3.0 x10E -6 Pa

THK均匀性(* 1

直径300mm <±5

过程温度

RT至450C

电力

50Hz /   60Hz,3相,200V

冷却水

0.3到0.5MPa,温度2025C 
冷却器:60L / min 氦气
压缩机:7L / min x单元
  DRP8L / min x单元

气体

工艺用气体:0.10.3MPa 
N2吹扫用气体:0.20.7MPa 

DRP N2吹扫用气体:0.20.7MPa

压缩的压力

0.5至0.7MPa

节能功能

标配

接地

A级(1级)地线(10欧姆以内)

选配

LTS / SIS   /三枪阴极/ CVD / ALD模块可选配
  RGAQulee 
  In-Aligner 
  EES
EDPMS(设备工程系统)




 

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